Varför är GaN-chips så viktiga i störande?

Vikten av GaN-chips i störsändare återspeglas i följande aspekter:

- Hög effektkapacitet: GaN har ett brett bandgap på 3,4 eV och dess nedbrytningsfält är 20 gånger högre än andra RF-halvledarteknologier. Detta gör det möjligt för GaN-baserade effektförstärkare att hantera högspännings- och högströmssignaler, vilket resulterar i högeffekts RF-utgång. Till exempel, i anti-RCIED-utrustning krävs störningssignaler med hög effekt för att störa trådlösa triggersignaler, och GaN-chips kan uppfylla detta krav och effektivt störa den normala driften av RCIED-mottagare. Dessutom, i anti-UAV störsändare, krävs hög effekt för att undertrycka kommunikationssignaler från drönare inom ett visst intervall, och GaN-chips kan ge den nödvändiga kraften.

- Högfrekvensrespons: GaN-chips har utmärkta högfrekvensegenskaper och kan arbeta över ett brett frekvensområde. Störare behöver vanligtvis täcka flera frekvenser för att hantera olika typer av målsignaler. Till exempel måste vissa störsändare arbeta i frekvensbandet 4000-8000MHz för att störa drönarsignaler. GaN-baserade förstärkare kan uppnå hög förstärkning och högeffektiv förstärkning i ett så högt frekvensband, snabbt anpassa sig till förändringar i olika signalfrekvenser och moduleringsmetoder och uppnå interferens i realtid.

- Högfrekvensrespons: GaN-chips har utmärkta högfrekvensegenskaper och kan arbeta över ett brett frekvensområde. Störare behöver vanligtvis täcka flera frekvenser för att hantera olika typer av målsignaler. Till exempel måste vissa störsändare arbeta i frekvensbandet 4000-8000MHz för att störa drönarsignaler. GaN-baserade förstärkare kan uppnå hög förstärkning och högeffektiv förstärkning i ett så högt frekvensband, snabbt anpassa sig till förändringar i olika signalfrekvenser och moduleringsmetoder och uppnå interferens i realtid.

- Bra värmeledningsförmåga: GaN har god värmeledningsförmåga, vilket bidrar till avledning av värme som genereras när chipet arbetar. Under högeffektdrift kan värmen som genereras av chipet snabbt överföras till utsidan genom värmeavledningsstrukturen, vilket undviker problemet med prestandaförsämring eller till och med skada på chipet på grund av överhettning. Till exempel kan det keramiska rörskalet som används i den GaN-chipbaserade jammermodulen förbättra värmeavledningseffekten avsevärt och säkerställa att modulen fungerar stabilt under tuffa miljöförhållanden.

GAN 50W effektförstärkarmodul med cirkelskydd

- Stark anti-interferensförmåga: GaN-chips har stark anti-interferensförmåga och kan fortfarande upprätthålla stabil prestanda i komplexa elektromagnetiska miljöer. Störare behöver ofta arbeta i en miljö full av olika störningssignaler. Den utmärkta anti-interferensförmågan hos GaN-chips kan säkerställa att störsändare exakt kan generera störsignaler och effektivt störa målsignaler utan att påverkas av andra störsignaler.